AMS는 신속하고 비용절감적이면서 비 접촉, 비 파괴적인 인 라인 wafer 검사가 가능한 혁신적인 측정 장비를 발전시켜왔습니다. 본 장비들은 귀사에 지대한 생산 증대를 가능하게 할 측정 system들 입니다. AMS의 발전된 측정 system들은 AMS의 자동화 system이 가장 진보된 자동화 공정관리에 연속적인 통합적 관리가 가능하도록 지원하면서 입증된 정확도, 반복성 그리고 재현성과 함께 높은 측정 처리능력을 제공합니다. AMS IR3000은 나노미터의 정확도로 trench 구조의 식각(etched)된 두께, 깊이 그리고 변수 및 recess를 측정하는데 전매 특허의 Model-Based IR을 이용합니다. 또한 본 장비는 Angstrom 단위의 정확도로 30nm 또는 그 이하의 epitaxial 층의 두께를 측정할 수 있습니다. Wafer 당 5point측정 시 시간당 45장의 wafer를 처리 할 수 있습니다. AMS 3300은 metal 박막과 유전체에 대한 두께와 균일 성을 측정하기 위해 독점적인 SurfaceWave Technology를 이용합니다. AMS 3300은 Copper 및 저 유전체에 대한 저 가격이지만 강력한 측정 장비입니다. Wafer당 9 point측정 시 ECD Copper 구조에 대해 시간당 55장의 wafer를 측정 할 수 있습니다. 더 자세한 정보 및 Spec을 원하시면 연락 부탁 드립니다.